Описание
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2666
Пропускная способность, Мб/с: 21300
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 16
Количество контактов: 260
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 18
Row Precharge Delay (tRP): 18
Activate to Precharge Delay (tRAS): 35
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 69.6
Высота, мм: 30
Вид поставки: OEM
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2666
Пропускная способность, Мб/с: 21300
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 16
Количество контактов: 260
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 18
Row Precharge Delay (tRP): 18
Activate to Precharge Delay (tRAS): 35
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 69.6
Высота, мм: 30
Вид поставки: OEM
Характеристики
-
ПроизводительAMD
-
Тип памятиUnbuffered
-
Форм-факторSODIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля32
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем32
-
Эффективная частота2666
-
Пропускная способность21300
-
Поддержка ECCНет
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле16
-
Количество контактов260
-
CAS Latency (CL)16
-
RAS to CAS Delay (tRCD)18
-
Row Precharge Delay (tRP)18
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)35
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Расширенная операционная температура95
-
Ширина69.6
-
Высота30
-
Вид поставкиOEM
