32GB Samsung DDR4 3200 DIMM M378A4G43BB2-CWE Non-ECC, 1.2V
Нет в наличииОписание
Серия продукции: M378
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 3200
Пропускная способность, Мб/с: 25600
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество ранков: 2
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 22
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Наличие радиатора: Нет
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Ссылка на описание: https://semiconductor.samsung.com/dram/module/udimm/m378a4g43bb2-cwe/
Комплект поставки: Модуль памяти
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 3200
Пропускная способность, Мб/с: 25600
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество ранков: 2
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 22
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Наличие радиатора: Нет
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Ссылка на описание: https://semiconductor.samsung.com/dram/module/udimm/m378a4g43bb2-cwe/
Комплект поставки: Модуль памяти
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Серия продукцииM378
-
Тип памятиUnbuffered
-
Форм-факторDIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля32
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем32
-
Эффективная частота3200
-
Пропускная способность25600
-
Поддержка ECCНет
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество контактов288
-
CAS Latency (CL)22
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Ширина133.35
-
Высота31.25
-
Ссылка на описаниеhttps://semiconductor.samsung.com/dram/module/udimm/m378a4g43bb2-cwe/
-
Наличие радиатораНет
-
Комплект поставкиМодуль памяти
-
Количество ранков2
