Оперативная память Samsung M471A4G43AB1-CWE 32 GB 1 шт.
Нет в наличииОписание
Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Объем 1 модуль 32 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 2
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Серия продукцииM471
-
Тип памятиUnbuffered
-
Форм-факторSODIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля32
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем32
-
Эффективная частота3200
-
Пропускная способность25600
-
Поддержка ECCНет
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле16
-
Количество контактов260
-
CAS Latency (CL)22
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Ширина69.6
-
Высота30
-
Вид поставкиOEM
-
Ссылка на описаниеhttps://semiconductor.samsung.com/dram/module/sodimm/m471a4g43ab1-cwe/
-
Наличие радиатораНет
-
Комплект поставкиМодуль памяти
-
Количество ранков2
