32GB Samsung DDR4 M393A4G43AB3-CVFBQ 2933MHz 2Rx8 DIMM Registred ECC
Нет в наличииОписание
Серия продукции: M393
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 64
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 64
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Количество чипов на модуле, шт: 36
Количество ранков: 2
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A8G40MB2-CVF/
Серия продукции: M393
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Количество чипов на модуле, шт: 18
Количество ранков: 1
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G40AB3-CVF/
Серия продукции: M393
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Количество чипов на модуле, шт: 18
Количество ранков: 4
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G40AB3-CVF/
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 64
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 64
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Количество чипов на модуле, шт: 36
Количество ранков: 2
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A8G40MB2-CVF/
Серия продукции: M393
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Количество чипов на модуле, шт: 18
Количество ранков: 1
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G40AB3-CVF/
Серия продукции: M393
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Количество чипов на модуле, шт: 18
Количество ранков: 4
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G40AB3-CVF/
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Серия продукцииM393
-
Тип памятиFull Buffered
-
Форм-факторDIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля32
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем32
-
Эффективная частота2933
-
Пропускная способность23400
-
Поддержка ECCДа
-
Количество чипов на модуле18
-
Количество контактов288
-
CAS Latency (CL)19
-
RAS to CAS Delay (tRCD)19
-
Row Precharge Delay (tRP)19
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)40
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Расширенная операционная температура95
-
Ширина133.35
-
Высота31.25
-
Вид поставкиOEM
-
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G40AB3-CVF/
-
Количество ранков4
