32GB Samsung DDR4 M393A4G43AB3-CWEGQ 3200MHz 2Rx8 DIMM Registred ECC
Нет в наличииОписание
Серия продукции: M393
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 36
Количество ранков: 1
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G40AB3-CVF/
Серия продукции: M393
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 3200
Пропускная способность, Мб/с: 25600
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 36
Количество ранков: 1
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G43AB3-CWE/
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 36
Количество ранков: 1
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G40AB3-CVF/
Серия продукции: M393
Тип памяти: Full Buffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 3200
Пропускная способность, Мб/с: 25600
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 36
Количество ранков: 1
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G43AB3-CWE/
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Серия продукцииM393
-
Тип памятиFull Buffered
-
Форм-факторDIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля32
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем32
-
Эффективная частота3200
-
Пропускная способность25600
-
Поддержка ECCДа
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле36
-
Количество контактов288
-
CAS Latency (CL)21
-
RAS to CAS Delay (tRCD)21
-
Row Precharge Delay (tRP)21
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)44
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Расширенная операционная температура95
-
Ширина133.35
-
Высота31.25
-
Вид поставкиRTL
-
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M393A4G43AB3-CWE/
-
Количество ранков1
