Описание
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 4
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 4
Эффективная частота, МГц: 3200
Пропускная способность, Мб/с: 25600
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество контактов: 260
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 18
Row Precharge Delay (tRP): 18
Activate to Precharge Delay (tRAS): 39
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Цвет радиатора: Черный
Габариты:
Ширина, мм: 69.6
Высота, мм: 30
Вид поставки: OEM
Комплект поставки: Модуль памяти
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 4
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 4
Эффективная частота, МГц: 3200
Пропускная способность, Мб/с: 25600
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество контактов: 260
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 18
Row Precharge Delay (tRP): 18
Activate to Precharge Delay (tRAS): 39
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Цвет радиатора: Черный
Габариты:
Ширина, мм: 69.6
Высота, мм: 30
Вид поставки: OEM
Комплект поставки: Модуль памяти
Характеристики
-
ПроизводительAMD
-
Тип памятиUnbuffered
-
Форм-факторSODIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля4
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем4
-
Эффективная частота3200
-
Пропускная способность25600
-
Поддержка ECCНет
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле8
-
Количество контактов260
-
CAS Latency (CL)16
-
RAS to CAS Delay (tRCD)18
-
Row Precharge Delay (tRP)18
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)39
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Расширенная операционная температура95
-
Ширина69.6
-
Высота30
-
Вид поставкиOEM
-
Цвет радиатораЧерный
-
Комплект поставкиМодуль памяти
