8GB Crucial DDR4 2666 SO DIMM CB8GS2666 Память для мобильного ПК, RTL {100} (900470)
Нет в наличииОписание
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 16
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 16
Эффективная частота, МГц: 2666
Пропускная способность, Мб/с: 21300
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество контактов: 260
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 69.6
Высота, мм: 30
Вид поставки: RTL
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 16
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 16
Эффективная частота, МГц: 2666
Пропускная способность, Мб/с: 21300
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество контактов: 260
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 69.6
Высота, мм: 30
Вид поставки: RTL
Характеристики
-
ПроизводительCrucial
-
Тип памятиUnbuffered
-
Форм-факторSODIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля16
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем16
-
Эффективная частота2666
-
Пропускная способность21300
-
Поддержка ECCНет
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле8
-
Количество контактов260
-
CAS Latency (CL)19
-
RAS to CAS Delay (tRCD)19
-
Row Precharge Delay (tRP)19
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)40
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Расширенная операционная температура95
-
Ширина69.6
-
Высота30
-
Вид поставкиRTL
![Оперативная память SO-DIMM Kingston DDR4 8Gb 2666MHz [KVR26S19S8/8]](/media/images/items/52/th3/51749-item-938315-5737285.jpg)
