Описание
Тип памяти: Registred
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 8
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 8
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 9
Количество ранков: 1
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 42
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: RTL
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 8
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 8
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 9
Количество ранков: 1
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 42
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: RTL
Характеристики
-
ПроизводительMicron
-
Тип памятиRegistred
-
Форм-факторDIMM
-
Стандарт памятиDDR4
-
Объем одного модуля8
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем8
-
Эффективная частота2933
-
Пропускная способность23400
-
Поддержка ECCДа
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле9
-
Количество контактов288
-
CAS Latency (CL)21
-
RAS to CAS Delay (tRCD)21
-
Row Precharge Delay (tRP)21
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)42
-
Напряжение питания1.2
-
Нормальная операционная температура85
-
Расширенная операционная температура95
-
Ширина133.35
-
Высота31.25
-
Вид поставкиRTL
-
Количество ранков1
