Описание
| Компоновка чипов на модуле | Односторонняя | |
| масса(кг) | 0.02 | |
| Напряжение (В) | 1.2 | |
| Низкопрофильная | нет | |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 | |
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 | |
| описание | Память CD4-US08G26M19-01 от компании CBR. | |
| Поддержка ECC | Нет | |
| Поддержка Reg | Нет | |
| Поддержка водяного охлаждения | Нет | |
| Подсветка | нет | |
| Производитель | CBR | |
| Пропускная способность (МБ/с) | 21300 | |
| Радиатор | Нет | |
| Тайминги | 19-19-19-43 | |
| Тип модуля | DIMM | |
| Тип оборудования | Оперативная память | |
| Цвет | черный | |
| Частота (MHz) | DDR4-2666 | |
| Код производителя | CD4-US08G26M19-01 |
Характеристики
-
ПроизводительCBR
-
ПроизводительCBR
-
МодельCD4-US08G26M19-01
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ8
-
Тип модуляDIMM
-
Частота MHzDDR4 - 2666
-
Пропускная способность МБ/с21300
-
Количество контактов288
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.2
-
Тайминги19-19-19-43
-
Высота мм-
-
Чип-
-
Габариты мм-
-
Дополнительная информация-
-
Вес грамм-
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ8
-
Линейка-
-
CAS Latency CL19
-
RAS to CAS Delay tRCD19
-
Row Precharge Delay tRP19
-
Нормальная операционная температура Tcase-
-
Расширенная операционная температура Tcase-
-
Цветчерный
-
Количество чипов на модуле-
-
Activate to Precharge Delay tRAS43
-
Компоновка чипов на модулеОдносторонняя
-
ПамятьCD4-US08G26M19-01 от компании CBR.
-
Потребление энергии-
-
Тип оборудованияОперативная память
