Оперативная память Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4 GB 1 шт.
Нет в наличииОписание
Общие характеристики
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Тактовая частота
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Объем
1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
4, односторонняя упаковка
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
1
Характеристики
-
ПроизводительHynix
-
Тип памятиDDR4
-
Показатель скоростиPC4-21300
-
Количество контактов260-pin
-
Буферизацияunbuffered
-
Форм-факторSO-DIMM
-
Тип поставкиOEM
-
Количество в упаковке1
-
Частотная спецификация2666
-
ЛатентностьCL19
-
Объем4096
-
Количество рангов (Ranks)single rank
-
PartNumber/Артикул ПроизводителяHMA851S6CJR6N-VKN0
-
БрендHYNIX
-
Скорость (тест)2666МГц
-
Напряжение (тест)1.2В
-
Задержка (тест)19-19-19
-
МодельHMA851S6CJR6N-VKN0
