Оперативная память Samsung M471A4G43MB1-CTD 32 GB 1 шт.
Нет в наличииОписание
Общие характеристики
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Тактовая частота
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Объем
1 модуль 32 ГБ
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
2
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
ПроизводительSamsung
-
МодельM471A4G43MB1-CTD
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ32
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR-IV 2666
-
Пропускная способность МБ/с21300
-
Поддержка RegНет
-
Поддержка ECCНет
-
Количество контактов260
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.2
-
Тайминги-
-
ПроизводительSamsung
-
МодельM471A4G43MB1-CTD
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ32
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR-IV 2666
-
Пропускная способность МБ/с21300
-
Поддержка RegНет
-
Поддержка ECCНет
-
Количество контактов260
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.2
-
Тайминги-
-
Вес грамм100
-
РадиаторНет
-
РадиаторНет
-
Вес грамм100
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ32
-
Низкопрофильнаянет
-
CAS Latency CL19
-
RAS to CAS Delay tRCD19
-
Row Precharge Delay tRP19
-
Нормальная операционная температура Tcase85 °C
-
Расширенная операционная температура Tcase95 °C
-
Поддержка водяного охлаждениянет
-
Цветкомбинированная расцветка
-
Подсветканет
-
Количество чипов на модуле8
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ32
-
Низкопрофильнаянет
-
CAS Latency CL19
-
Поддержка водяного охлаждениянет
-
Цветкомбинированная расцветка
-
Подсветканет
-
Количество чипов на модуле8
-
RAS to CAS Delay tRCD19
-
Row Precharge Delay tRP19
-
Нормальная операционная температура Tcase85 °C
-
Расширенная операционная температура Tcase95 °C
