Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (SP004GBSFU266N02)
Нет в наличииОписание
|
Количество модулей в комплекте
|
1 шт. |
|
Объем одного модуля
|
4 ГБ |
|
Тип
|
DDR4 SODIMM 260-pin |
|
Тактовая частота
|
2666 МГц |
|
Тайминги
|
19 |
|
Напряжение питания
|
1.2 В |
|
Пропускная способность
|
PC21300 |
Характеристики
-
ПроизводительSILICON_POWER
-
ПроизводительSilicon Power
-
МодельSP004GBSFU266N02
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ4
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR4 - 2666
-
Пропускная способность МБ/с21300
-
Количество контактов260
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.2
-
Тайминги-
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ4
-
CAS Latency CL19
-
Цветкомбинированная расцветка
-
http://www.silicon-power.com/
-
Тип оборудованияПамять
