Описание
- Тип поставки:один модуль 1x8Гб
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 Мб/с
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная:нет
- Латентность:CL22
- Тайминги:22-22-22
- Подсветка:нет
- Объем одного модуля:8 Гб
- Кол-во модулей в упаковке:1 шт.
- Общий объем памяти:8 Гб
- Напряжение питания:1.2 В
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
ПроизводительSamsung
-
МодельM471A1K43DB1-CWE
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ8
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR4 - 3200
-
Пропускная способность МБ/с25600
-
Поддержка RegНет
-
Поддержка ECCНет
-
Количество контактов260
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.2
-
Тайминги-
-
РадиаторНет
-
Основные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ8
-
Низкопрофильнаянет
-
CAS Latency CL22
-
Поддержка водяного охлаждениянет
-
Цветкомбинированная расцветка
-
Подсветканет
-
Нормальная операционная температура Tcase75
-
Расширенная операционная температура Tcase85
-
http://www.samsung.com/ru/
-
Тип оборудованияПамять
