Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (SP004GBSFU266N02)
Нет в наличииОписание
|
Количество модулей в комплекте
|
1 шт. |
|
Объем одного модуля
|
4 ГБ |
|
Тип
|
DDR4 SODIMM 260-pin |
|
Тактовая частота
|
2666 МГц |
|
Тайминги
|
19 |
|
Напряжение питания
|
1.2 В |
|
Пропускная способность
|
PC21300 |
Характеристики
-
ПроизводительSILICON_POWER
-
Тип памятиDDR4
-
Показатель скоростиPC4-21300
-
Количество контактов260-pin
-
Буферизацияunbuffered
-
Форм-факторSO-DIMM
-
Тип поставкиRet
-
Количество в упаковке1
-
Частотная спецификация2666
-
ЛатентностьCL19
-
Объем4096
-
Количество рангов (Ranks)single rank
-
PartNumber/Артикул ПроизводителяSP004GBSFU266N02
-
БрендSILICON POWER
-
Скорость (тест)2666МГц
-
Напряжение (тест)1.2В
-
МодельSP004GBSFU266N02
-
Ссылка на сайт поставщика/вендораhttps://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_SODIMM
