Память оперативная samsung Electronics M378A1G44CB0-CWE
Описание
| manufacturerCountry | Китай |
| pictureID | 0 |
| гарантия | 1 год |
| Производитель | Samsung |
| Количество модулей в комплекте, шт. | 1 |
| Общий объем, Гбайт | 8 |
| Объем одного модуля, Гбайт | 8 |
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
ПроизводительSamsung
-
МодельM378A1G44CB0-CWE
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ8
-
Тип модуляDIMM
-
Частота MHzDDR4 - 3200
-
Пропускная способность МБ/с25600
-
Количество контактов288
-
Охлаждение-
-
Напряжение В-
-
Тайминги-
-
Высота мм-
-
Чип-
-
Габариты мм-
-
Дополнительная информация-
-
Вес грамм-
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ8
-
Линейка-
-
CAS Latency CL-
-
RAS to CAS Delay tRCD-
-
Row Precharge Delay tRP-
-
Нормальная операционная температура Tcase-
-
Расширенная операционная температура Tcase-
-
Поддержка водяного охлаждения-
-
Цветразноцветный
-
Количество чипов на модуле-
-
Activate to Precharge Delay tRAS-
-
Компоновка чипов на модуле-
-
Память M378A1G44CB0-CWE от Samsung
-
Потребление энергии-
-
Тип оборудованияОперативная память
