Память оперативная samsung M471A1G44AB0-CWE
Нет в наличииОписание
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 | |
| масса(кг) | 0.02 | |
| Напряжение (В) | 1.2 | |
| Низкопрофильная | Нет | |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 | |
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 | |
| описание | Память M471A1G44AB0-CWE от Samsung | |
| Поддержка ECC | Нет | |
| Поддержка Reg | Нет | |
| Поддержка водяного охлаждения | Нет | |
| Подсветка | Нет | |
| Производитель | Samsung | |
| Пропускная способность (МБ/с) | 25600 | |
| Радиатор | Нет | |
| Тайминги | 19 | |
| Тип модуля | SO-DIMM | |
| Тип оборудования | Оперативная память | |
| Цвет | Зеленый | |
| Частота (MHz) | DDR4-3200 | |
| Количество модулей в комплекте, шт. | 1 | |
| Общий объем, Гбайт | 8 | |
| Объем одного модуля, Гбайт | 8 |
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
ПроизводительSamsung
-
МодельM471A1G44AB0-CWE
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ8
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR4 - 3200
-
Пропускная способность МБ/с25600
-
Количество контактов260
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.2
-
Потребление энергии-
-
Тайминги19
-
Дополнительная информация-
-
Чип-
-
Габариты мм-
-
Вес грамм-
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ8
-
CAS Latency CL19
-
ЦветЗеленый
-
Количество чипов на модуле-
-
RAS to CAS Delay tRCD-
-
Row Precharge Delay tRP-
-
Activate to Precharge Delay tRAS-
-
Нормальная операционная температура Tcase-
-
Расширенная операционная температура Tcase-
-
Линейка-
-
Память M471A1G44AB0-CWE от Samsung
-
Высота мм-
-
Тип оборудованияОперативная память
