SSD накопитель M.2 Samsung 970 EVO Plus 1Tb (MZ-V7S1T0BW)
Нет в наличииОписание
| Производитель | Samsung |
| Код производителя | MZ-V7S1T0BW |
| Внимание | В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита. |
| Назначение | внутренний |
| Тип | SSD |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI-E x4 |
| Поддержка NVMe | да |
| Объём накопителя | 1000 Гб |
| Тип флэш-памяти | TLC |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Объём кэш памяти | 1024 Мб |
| Скорость чтения | 3500 Мб/сек |
| Скорость записи | 3300 Мб/сек |
| Дополнительно | |
| Ресурс перезаписи (TBW) | 600 ТБ |
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Дополнительная информация | новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO, благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO |
| Вес | 0.2 кг |
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
НазначениеКлиентские ПК
-
Форм-факторM.2 2280
-
ИнтерфейсPCIe 3.0 x4 (NVMe)
-
Ёмкость накопителя1000
-
Тип памяти3D TLC
-
Скорость последовательного чтения3500
-
Скорость последовательной записи3300
-
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)600000
-
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)550000
-
Средняя наработка на отказ1500000
-
TBW твердотельного накопителя600
