Описание
- Объем накопителя: 2048 ГБ;
- Скорости: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3300 МБ/с;
- Интерфейс: PCIe 3.0 x4;
- Тип памяти: 3D TLC;
- TBW: 1200 ТБ;
- Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.38 мм; разъем M.2;
- Особенности: поддержка NVMe;
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Основные характеристики-
-
ПроизводительSamsung
-
МодельMZ-V7S2T0B/AM
-
Объем Гб2000
-
Тип оборудованияSSD диск
-
Интерфейс, разъемы и выходы-
-
Интерфейс SSDPCI-Express
-
Совместимость-
-
Формат накопителяM.2
-
Параметры производительности-
-
Скорость чтения Мб/с3500
-
Скорость записи Мб/с3300
-
СерияEVO
-
Комплект поставки и опции-
-
Конфигурация-
-
Тип чиповTLC 3D NAND
-
КонтроллерSamsung Phoenix
-
Питание-
-
Потребительские свойства-
-
Прочие характеристики-
-
MTBF1500000 ч
-
Логистика-
-
Внешние источники информации-
-
Поддержка TRIM-
-
IOmeter, скорость записи 4Кб файлов, глубина очереди=32-
-
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕДля сервера данный накопитель не подходит из-за недостаточного ресурса
-
Ресурс SSD1200 TBW
-
Background Garbage Collection-
-
Комплект поставкиSSD
-
Потребление энергии Вт9
-
Отличительная особенность-
-
Максимальные перегрузки1500 G
-
Размеры ширина x высота x глубина22 х 2.38 х 80
-
Вес грамм-
-
Рабочая температура-
-
Размеры упаковки-
-
Вес брутто грамм-
-
Пропускная способность интерфейса Гбит/с16
-
Техпроцесс-
-
Дополнительная информация-
-
Горячая линия производителя-
-
Тип интерфейса NAND Flash памятиTLC 3D NAND
-
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ2При превышении параметра "Ресурс в TBW" или "Ресурс DWPD", указанного в спецификации, устройство снимается с гарантии.
-
http://www.samsung.com/ru/support/local/services/russia.do
-
Протокол NVMe-
-
Форм-фактор M.22280
