Характеристики

• Производитель
  Samsung
• Форм-фактор
  M.2 22110
• Интерфейс
  PCIe 3.0 x4 (NVMe)
• Ёмкость накопителя
  960
• Тип памяти
  3D TLC
• TBW твердотельного накопителя
  1366
• Скорость последовательного чтения
  3000
• Скорость последовательной записи
  1100
• Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)
  400000
• Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)
  37000
• Средняя наработка на отказ
  2000000