Описание
| Производитель | Samsung |
| Код производителя | MZ-V8V1T0BW |
| Назначение | внутренний |
| Тип | SSD |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI-E x4 |
| Объём накопителя | 1000 Гб |
| Тип флэш-памяти | TLC |
| Контроллер | Samsung Pablo Controller |
| Скорость чтения | 3500 Мб/сек |
| Скорость записи | 3000 Мб/сек |
| Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов | 500000 IOPS |
| Скорость произвольной записи 4 КБ файлов | 480000 IOPS |
| Дополнительно | |
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Тип интерфейсаPCI Express
-
Версия PCI-EPCIe 3.0 x4 w/NVMe
-
Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель
-
Позиционирование использованияDesktop
-
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
-
Форм-факторM.2 2280
-
Номинальный объем1000
-
Объем после форматирования953
-
Тип памяти3D NAND TLC
-
Внешняя скорость передачи данных, до3840
-
Максимальная скорость чтения3500
-
Максимальная скорость записи3000
-
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)500
-
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)480
-
Среднее время наработки на отказ (MTBF)1500
-
Ударостойкость при работе1500
-
Ударостойкость при хранении1500
-
Энергопотребление при работе5.3
-
Ширина22
-
Высота2.38
-
Глубина80
-
Тип комплектацииRTL
-
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/
-
Суммарное число записываемых Байт (TBF)600
